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Analyseur de composants semi-conducteurs (DCA55)
Description
CARACTERISTIQUES :
-identification automatique des composants
-identification automatique des broches de connexion
-identification de particularités comme la détection des diodes de protection et la détection des résistances shunt
-transistors bipolaires : mesure du gain en courant et de courant de fuite, détection à diode silicium et germanium
-mesure de la tension de seuil pour les MOSFET à enrichissement
-mesure de la tension directe pour diodes, LED et jonctions base-émetteur des transistors
-extinction automatique et manuelle
SPECIFICATIONS :
-Specification Summary at 20°C (68°F) unless otherwise specified
-courant crête de court-circuit coupé: -5.5 mA jusqu'à 5.5 mA
-tension crête de court-circuit permanent: -5.1 V jusqu'à 5.1 V
-transistor:
-plage de gain (HFE): 4 - 65 000
-précision de gain: ± 3% ± 5 Hfe
-tension maximale de collecteur-à-émetteur (VCEO): 2.0 V - 3.0 V
-précision de tension base-émetteur VBE: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
-tension base-émetteur VBE pour transistor Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
-seuil de résistance shunt base-émetteur: 50 kΩ - 70 kΩ
-courant de collecteur BJT: 2.45 mA - 2.55 mA
-courant de fuite acceptable BJT: 0.7 mA
-MOSFET:
-plage de tension de grille-source: 0.1 V - 5.0 V
-précision de seuil: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
-courant drain: 2.45 mA - 255 mA
-résistance de grille: 8 kΩ
-courant du drain d'appauvrissement: 4.5 mA
-courants drain-source JFET: 0.5 mA - 5.5 mA
-thyristor/Triac:
-courant de grille: 4.5 mA
-courant de maintien: 5.0 mA
-diode:
-courant de test: 5.0 mA
-précision de tension: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
-tension directe pour identification LED: 1.50 V - 4.00 V
-seuil de court-circuit: 10 Ω
-batterie:
-type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline
-plage de tension: 7.50 V - 12 V
-seuil d'alarme: 8.25 V
-dimensions: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
-Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz)
-température de travail: 0°C~50°C (32F ~ 122F)
-identification automatique des composants
-identification automatique des broches de connexion
-identification de particularités comme la détection des diodes de protection et la détection des résistances shunt
-transistors bipolaires : mesure du gain en courant et de courant de fuite, détection à diode silicium et germanium
-mesure de la tension de seuil pour les MOSFET à enrichissement
-mesure de la tension directe pour diodes, LED et jonctions base-émetteur des transistors
-extinction automatique et manuelle
SPECIFICATIONS :
-Specification Summary at 20°C (68°F) unless otherwise specified
-courant crête de court-circuit coupé: -5.5 mA jusqu'à 5.5 mA
-tension crête de court-circuit permanent: -5.1 V jusqu'à 5.1 V
-transistor:
-plage de gain (HFE): 4 - 65 000
-précision de gain: ± 3% ± 5 Hfe
-tension maximale de collecteur-à-émetteur (VCEO): 2.0 V - 3.0 V
-précision de tension base-émetteur VBE: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
-tension base-émetteur VBE pour transistor Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
-seuil de résistance shunt base-émetteur: 50 kΩ - 70 kΩ
-courant de collecteur BJT: 2.45 mA - 2.55 mA
-courant de fuite acceptable BJT: 0.7 mA
-MOSFET:
-plage de tension de grille-source: 0.1 V - 5.0 V
-précision de seuil: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
-courant drain: 2.45 mA - 255 mA
-résistance de grille: 8 kΩ
-courant du drain d'appauvrissement: 4.5 mA
-courants drain-source JFET: 0.5 mA - 5.5 mA
-thyristor/Triac:
-courant de grille: 4.5 mA
-courant de maintien: 5.0 mA
-diode:
-courant de test: 5.0 mA
-précision de tension: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
-tension directe pour identification LED: 1.50 V - 4.00 V
-seuil de court-circuit: 10 Ω
-batterie:
-type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline
-plage de tension: 7.50 V - 12 V
-seuil d'alarme: 8.25 V
-dimensions: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
-Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz)
-température de travail: 0°C~50°C (32F ~ 122F)
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